4月26日下午，学院于长清湖校区文渊楼D301报告厅举办第14期“东渐讲坛”第31讲。本次“东渐讲坛”邀请国家杰出青年科学基金获得者、中国科学院半导体研究所研究员、半导体超晶格国家重点实验室副主任骆军委作报告。学院党委书记谢德仁,院长蔡阳健,副院长宋玉志参加。副院长任俊峰主持报告会。学院教师、研究生和本科生代表一百余人参加讲坛。
本次“东渐讲坛”的报告题目是《后摩尔时代半导体前沿物理》，骆军委介绍了我国在解决硅基发光和硅基量子计算时的关键瓶颈，以及为延续摩尔定律提供的新方法和新思路所取得的研究进展。他讲述了半导体直接带隙和间接带隙形成机制统一理论的发展，该理论解决了硅形成间接带隙不发光的困惑，证明广泛研究的硅量子点无法实现高效发光，排除了硅量子点硅基发光方案，并提出掺杂应变锗直接带隙发光的硅基发光新方案，为解决硅基发光世界难题奠定理论基础。报告还对设计硅锗量子阱来突破硅基量子计算所面临的能谷臂裂和自旋轨道耦合效应太弱等关键瓶颈进行介绍。报告结束后，骆军委对现场听众提出的问题进行详细解答，与在场师生进行了精彩的交流与互动。
本次“东渐讲坛”活动搭建了一个良好的学术交流平台，使学院相关专业师生深入了解到国内外科研应用的发展前景与未来走向，开拓了学院师生视野，为今后我院在该领域开展深入研究奠定良好的基础。
